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    • H橋電路是怎么工作的,為什么四個(gè)開關(guān)管都選擇N管
      • 發(fā)布時(shí)間:2024-12-17 17:24:58
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      H橋電路是怎么工作的,為什么四個(gè)開關(guān)管都選擇N管
      H橋電路由兩個(gè)半橋組成,可改變驅(qū)動(dòng)負(fù)載極性以控制電機(jī)方向,通過PWM占空比調(diào)節(jié)電機(jī)轉(zhuǎn)速。工作時(shí),通過開關(guān)Q1-Q4的導(dǎo)通與關(guān)閉實(shí)現(xiàn)電機(jī)正反轉(zhuǎn)。為防止短路,需設(shè)置死區(qū)時(shí)間。負(fù)載為感性時(shí),需二極管或MOS管續(xù)流以快速減小電流。實(shí)際應(yīng)用中多選擇NMOS,因PMOS高耐壓大電流型號(hào)較少,成本較高。
      H橋電路是如何工作的?為什么四個(gè)開關(guān)管都選擇N管?
      將兩個(gè)MOS管一上一下的方式放在一條直線上,叫做“半橋”,我們分別叫它上管和下管,而兩個(gè)半橋組合一起,就是H橋電路,正中心就是負(fù)載電機(jī)。
      H橋電路
      H橋電路可以改變驅(qū)動(dòng)負(fù)載的極性,當(dāng)作為負(fù)載的電機(jī)極性被改變時(shí),電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的方向就會(huì)發(fā)生改變。
      那么它可以應(yīng)用驅(qū)動(dòng)直流電機(jī),通過H橋電路來實(shí)現(xiàn)電機(jī)的方向控制,甚至可以-通過不同的PWM占空比,控制電機(jī)轉(zhuǎn)速。
      那它是如何工作的呢?
      H橋電路
      當(dāng)Q1 和Q4導(dǎo)通時(shí),Q2和Q3關(guān)閉,電流從VM流向Q1再到Q4最終到地。此時(shí)負(fù)載電機(jī)為正向轉(zhuǎn)動(dòng)。
      當(dāng)Q2和Q3導(dǎo)通,Q1和Q4關(guān)閉,電流從VM流向Q3再到Q2最終到地。此時(shí)負(fù)載電機(jī)反向轉(zhuǎn)動(dòng)。
      那如果Q1和Q2,或者Q3和Q4同時(shí)導(dǎo)通呢?
      這時(shí)就會(huì)發(fā)生短路,因?yàn)閂M和GND直接連通了。所以在做MOS驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)時(shí)需要留有死區(qū)時(shí)間,也就是上管和下管導(dǎo)通時(shí)有一定的間隔。
      此外,它可以通過控制PWM的占空比來調(diào)節(jié)電機(jī)的轉(zhuǎn)速,當(dāng)占空比越大轉(zhuǎn)速就會(huì)越大,反之就會(huì)越小。
      H橋電路
      這里有個(gè)常見的問題,這里的負(fù)載是感性負(fù)載,所以當(dāng)PWM驅(qū)動(dòng)時(shí),Q1和Q4在導(dǎo)通后關(guān)閉時(shí),負(fù)載的電流不會(huì)突變,那么就需要提供通路讓電流衰減下來。
      尤其是在剎車階段,電流需要快速減少并使電機(jī)轉(zhuǎn)速減小。
      這時(shí)就可以利用二極管續(xù)流或者M(jìn)OS管續(xù)流了。
      二極管續(xù)流
      當(dāng)Q1和Q4導(dǎo)通,電感的電流升高;當(dāng)Q1和Q4關(guān)斷時(shí),Q2和Q3保持關(guān)斷,電感從GND流向D2再到D3最后到VM。不過由于二極管本身會(huì)存在壓降導(dǎo)致發(fā)熱,容易造成損耗,此外其電流下降速度也不快。
      H橋電路
      MOS管續(xù)流
      當(dāng)Q1與Q4導(dǎo)通時(shí),電感電流升高;
      當(dāng)Q1與Q4關(guān)斷時(shí),如果Q2與Q3開啟了,那么電感就會(huì)從GND經(jīng)過Q2再到Q3最終到VM,然后放電。由于MOS管的內(nèi)阻很小,電流可以直接流進(jìn)VM,隨后快速下降。
      如果是電機(jī)正向調(diào)速時(shí)PWM控制,當(dāng)Q1與Q4重新開啟時(shí),Q2和Q3關(guān)閉,電流重新增大。隨后Q1與Q4關(guān)閉,Q2與Q3關(guān)閉,電流繼續(xù)快速下降。
      還有一個(gè)問題,在實(shí)際電路中通常會(huì)選擇4個(gè)NMOS,那PMOS不行嗎?
      成本問題是必然的,還有就是對(duì)于高耐壓和大電流的PMOS型號(hào),與NMOS相比會(huì)少的多,因此會(huì)優(yōu)先選NMOS。
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