FET的全稱是場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor），通過在半導(dǎo)體上施加一個電場來改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。在不同的電場下，半導(dǎo)體會呈現(xiàn)出不同的導(dǎo)電特性，因此稱為“場效應(yīng)”管。
BJT基本公式：IC=βIB，工作機(jī)制是通過基級電流IB控制集電極電流IC。
BJT中的B是指“雙極性（bipolar）”，意思是其內(nèi)部同時存在電子和空穴這兩種極性的導(dǎo)電載流子；而FET卻是“單極性（unipolar）”元件，其導(dǎo)電僅靠一種載流子：N溝道場效應(yīng)管中僅有電子導(dǎo)電，P溝道場效應(yīng)管中僅有空穴導(dǎo)電。
BJT和FET的區(qū)別：
電極區(qū)別：
BJT：基極（B），發(fā)射極（E），集電極（C）
FET：柵極（G），源極（S），漏極（D）
控制類型：
BJT：電流控制--通過控制基極電流來控制集電極電流的變化
FET：電壓控制--通過控制柵極電壓來控制漏極電流變化
阻抗差別：
BJT：輸入阻抗較低（幾百歐姆-幾千歐姆），基極電流較大，輸出電阻較高，對前級電路影響較大，必須阻抗匹配才能工作
FET：輸入阻抗極高（兆歐以上），MOS管更高，柵極幾乎沒有電流，對前級電路影響較小，輸出電阻同樣也很高
載流子：
BJT：兩種載流子--少子和多子，屬于雙極性器件 Bipolar Transistor.
FET：一種載流子--多子，屬于單極性器件，要么是空穴要么是自由電子導(dǎo)電。
穩(wěn)定性（噪聲）：
BJT：噪聲更大--因為少子參與了導(dǎo)電，而少子容易受到溫度的影響，熱穩(wěn)定性較差
FET：噪聲更小--因為只有多子導(dǎo)電，熱穩(wěn)定性更好，噪聲小
分類：
BJT：PNP和NPN
FET：
按溝道：N型和P型
按原理：JFET和MOSFET（增強型、耗盡型）
特性曲線：
BJT：截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)、擊穿區(qū)——轉(zhuǎn)移特性按指數(shù)規(guī)律變化
FET：截至區(qū)、放大區(qū)、可變電阻區(qū)、擊穿區(qū)——轉(zhuǎn)移特性按平方規(guī)律變化（非線性失真更大）
放大能力：
BJT：參數(shù)——電流放大倍數(shù)β
FET：參數(shù)——跨導(dǎo)gm
兩者相比BJT電壓放大倍數(shù)更大
電容差別：
BJT：極間電容較大，耦合電容較大
FET：極間電容較小，耦合電容較小（輸入電阻較高）
在只允許從信號源取較少（高輸出阻抗）電流的情況下，選用FET，達(dá)到阻抗匹配目的，適用于低噪高輸入電阻的前置電路；在信號電壓較低，允許取用電流的情況下，選用BJT。作為開關(guān)管，F(xiàn)ET的效率較高，多用在大電流、高速開關(guān)電源上；在環(huán)境溫度變化較大的場合應(yīng)使用FET。
FET的各種性能指標(biāo)都要優(yōu)于BJT，比如：輸入阻抗高、功耗低、熱穩(wěn)定性好等等。尤其是高輸入阻抗這點，一般FET的的輸入阻抗可以達(dá)到1兆歐到幾百兆歐，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過BJT的典型輸入阻抗，這個在設(shè)計放大電路時非常有用。早年由于FET價格稍貴，因此在分立元件電路中，BJT還用得比較多。但現(xiàn)在FET的價格也已經(jīng)很低了，因此通常在設(shè)計應(yīng)用電路時，能用FET就盡量用FET。只有在一些需要極端壓榨成本的場合、或者需要大電流放大時、還有些超高頻電路中，才會用到BJT。
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