MOSFET的截止頻率
定義
在MOS源極和漏極接交流地時(shí)，器件的小信號電流增益降至1的頻率稱為：“transit frequency”(fT)截止頻率
FT計(jì)算
MOS的小信號模型如下：
影響因素
根據(jù)式(8),可以知道
–增大Vgs可以增大FT
–減小溝道L會增大FT
進(jìn)一步說: 根據(jù)式(6)
–增大偏置電流可以增大FT(FT:∝電流的平方根）
–當(dāng)偏置電流恒定，減小溝道的L可以增大FT[FT∝L^(-3/2)]
注意
–FT不受S端和D端電容的影響。
–FT不受RG的影響，且仍等于上面(6)給出的值。
PS: 小尺寸MOS管FT筆記
FT隨過驅(qū)動(dòng)而增加，但隨著垂直電場減小了遷移率變平。下面繪制的是NMOS器件的fT，其中W / L = 5μm/ 40 nm VDS = 0.8 V.
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