場應(yīng)管偶次諧波豐厚，聽感頗有電子管的風味。而且其輸出功率相比電子管能夠做得很大，且本錢不高，所以前級配場效應(yīng)管功放，在發(fā)燒圈內(nèi)很流行。 本電路輸入局部較為簡沾。采用一對性能指標完整分歧的音頻低噪聲管C1815組成差分放大電路。由負載輸出端的33kΩ電阻和1kΩ電阻經(jīng)分壓反應(yīng)到BG2的基極，自動均衡輸出管的工作電壓，省去調(diào)整中點電壓的費事，實測<50mV。

BG3是一級恒流源，以改善差分放大電路的共模抑止比。其基極電位是由發(fā)光二極管提供，性能和信噪比優(yōu)于穩(wěn)壓二極管，使BG3的基極電位控制在1.8V左右。工作時，該管還可起到指示燈的作用。BG5是另一級恒流源，使BG4的電壓增益有較大進步。

BG6、BG7、BG8為中功率電壓放大推進管。其中BG6起到調(diào)整整機靜態(tài)電流的作用，調(diào)整元件只要帶鎖緊螺栓的VR一個。調(diào)試前，該可調(diào)電阻置于中間位置，用1A直流電流表串接在正電源和二只功率管的D極，微調(diào)VR，阻值大則電流大，普通調(diào)整在200mA左右，并鎖緊可調(diào)電阻。由于場效應(yīng)管的負溫度特性，靜態(tài)電流會自動減流。但不會影響整機的正常工作。8只場敏應(yīng)管應(yīng)盡最配對分歧，這樣可避免某管發(fā)熱最大的情況。K85l、K854等場效應(yīng)管拆機品價錢非常低廉，性能穩(wěn)定，音質(zhì)表現(xiàn)較好。

本機耦合電容器儀有輸入端每聲道一個，一定要采用CBB無感電容。筆者經(jīng)過實驗。任何電解電容（包括極品），由于存在一定的漏電率。卷繞電感和轉(zhuǎn)換速率低等缺陷，在大音狀態(tài)下都不能勝任。聲音聽感欠佳。

電源采用100W以上變壓器。次級交流電壓為2x26V或2x28V。整流橋電流大于l0A。用4只6800μF/50VELNA高速電解電容作濾波。并且并聯(lián)上lμFCBB電容作高頻退耦。

揚聲器維護電路裝置完成后，可實驗一下能否正常，辦法是單獨接通維護器電源，兒秒鐘內(nèi)繼電器J虛吸合。在10kΩ電阻上端與地接1.5V干電池。繼電器又馬上斷開。標明工作正常。 輸入端電他器中心點接頭，由R、C和K組成超低音提升電路。小音最時按下開關(guān)后，低音得到明顯提升，覺得聲浪陣陣而來，效果確實不錯。

優(yōu)點：

1、MOS 管功放具有鼓勵功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負溫度系數(shù)，平安牢靠，且有工作頻率高，偏置簡單等優(yōu)點。以運放的輸出作為OCL 的輸入，到達抑止零點漂移的效果。

2、中音厚，沒有三極管那么大的交越失真。

電流推進級通常由一至二級組成，為了降低輸出阻抗、增加阻尼系數(shù)，常采用二級電流推進。為了防止電流推進級產(chǎn)生開關(guān)失真，較好的作法是、采用MOS管并增大本級的靜態(tài)電流，這樣本級不會產(chǎn)生開關(guān)失真，由于任何狀況下電流推進級一直處于放大區(qū)，所以電流輸出級也一直處于放大區(qū)，因而輸出級同樣不會產(chǎn)生開關(guān)失真和交越失真。

3、MOS管的線性比晶體管好。

缺點：

1、低頻的溫和度比晶體管功放差，MOSFET開關(guān)場效應(yīng)管容易被輸出和輸入過載損壞,MOSFET場效應(yīng)晶體管既具有晶體管的根本優(yōu)點。但運用不久發(fā)現(xiàn)這種功放的牢靠性不高（無法外電路維護），開關(guān)速度進步得不多和最大輸出功率僅為150W/8Ω等。90年代初，MOSFET的制造技術(shù)有了很大打破，呈現(xiàn)了一種高速MOSFET大功率開關(guān)場效應(yīng)晶體管。西班牙藝格公司（ECLER）經(jīng)多年研討，攻克了非毀壞性維護系統(tǒng)的SPM專利技術(shù)，推出了集電子管功放和晶體管功放兩者優(yōu)點分離的第3代功放產(chǎn)品，在歐洲市場上取得了認可，并逐漸在世界上得到了應(yīng)用。第3代MOSFET功放的中頻和高頻音質(zhì)接近電子管功放，但低頻的溫和度比晶體管功放差一些，此外MOSFET開關(guān)場效應(yīng)管容易被輸出和輸入過載損壞。

2、開啟電壓太高。

3、偏流開很大，還是有一定的交越失真,沒交越失真，差不多能夠趕上三極管的甲類輸出功耗。

4、MOS管不好配對在同一批次管，相對來說要好配對一點。

5、MOS管的低頻下太硬,用MOS功放聽出所謂電子管音色有一個簡單方法，把普通三極管功放里的電壓推進三極管換成JFET，JFET才真正具有電子管音色。

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