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      大電流場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)參數(shù)-大功率MOS管型號(hào)封裝
      • 發(fā)布時(shí)間:2019-08-21 17:00:10
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      大電流場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)
      場(chǎng)效應(yīng)管簡(jiǎn)介
      在了解大電流場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)之前,我們來(lái)了解一下場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí),它主要有兩種類型(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
      場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。
      由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,又稱單極型晶體管。
      大電流場(chǎng)效應(yīng)管的作用
      1.場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。
      2.場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。
      3.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。
      4.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。
      5.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。
      大電流場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用
      1、交流/直流電源的同步整流
      2、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)
      3、逆變器
      4、電池充電器和電池保護(hù)電路
      5、36V-96V系統(tǒng)中的馬達(dá)控制
      6、隔離的直流-直流轉(zhuǎn)換器
      7、不間斷電源
      大電流場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)
      大電流場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)
      大電流場(chǎng)效應(yīng)管擴(kuò)展知識(shí)
      由于功率MOSFET熱穩(wěn)定性好,故比雙極型晶體管并聯(lián)連接簡(jiǎn)單。可是并聯(lián)連接MOSFET用于高速開(kāi)關(guān)則末必簡(jiǎn)單,從現(xiàn)象看并聯(lián)連接會(huì)發(fā)生以下兩個(gè)問(wèn)題:
      1) 電流會(huì)集中某一個(gè)器件中。
      2 ) 寄生振蕩。
      大電流場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)
      并聯(lián)連接方面的問(wèn)題
      參數(shù)
      Lo:柵、導(dǎo)線電感
      LD:漏、導(dǎo)線電感
      LS:源、導(dǎo)線電感
      Cmi:密勒電容
      CGS:柵、源間電源
      ra:柵、電阻(多晶硅)
      (1)電流會(huì)集到某一個(gè)器件中
      這是由于并聯(lián)連接的器件中的某一個(gè)器件早于或遲于其它器件導(dǎo)通或斷開(kāi)而引起的。導(dǎo)通、斷開(kāi)的時(shí)刻差異是由于器件間的閾值電壓和正向傳輸導(dǎo)納等參數(shù)的差別而引起。圖1表明把具有不同VGS(th)和 g.f .s 的功率MOSFET并聯(lián)銜接時(shí)發(fā)生電流不平衡的一個(gè)比如。
      驅(qū)動(dòng)級(jí)的輸出阻抗大的時(shí)候,電流不平衡的發(fā)生時(shí)刻由功率MOSFET的輸入電容Ciss而決議。另外,并聯(lián)連接的全部器件導(dǎo)通之后,流到各器件的電流與Rds(on)成反比 。
      ( 2 ) 寄生振蕩
      如把功率MOSFET的柵極直接并聯(lián)銜接,就常常發(fā)生寄生振蕩。如圖2所示,經(jīng)過(guò)各個(gè)器件的漏、柵間電容( 密勒電容 )和柵極引線電感構(gòu)成諧振電路 。關(guān)于這個(gè)諧振電路的Q,也即電抗器 ( L 、C ) 對(duì)電阻之比 (Q = i∞/ R ) 非常大,簡(jiǎn)單發(fā)生寄生振蕩。
      從以下兩個(gè)方面采取辦法 :
      1)器材的挑選
      2)裝置上的考慮
      并聯(lián)連接及辦法
      ( 1) 把功率MOSFET用作開(kāi)關(guān)器件時(shí),無(wú)須過(guò)于慎重考慮,由于功率MOSFET的最大脈沖電流允許為直流額定值的 3-4倍,只需極力縮小驅(qū)動(dòng)級(jí)的輸出阻抗就行.把功率MOSFET用在線性電路時(shí),只挑選同一批產(chǎn)品是不行的 ,與雙極型晶體管一樣外加源電阻使之平衡是很有必要的.
      大電流場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)
      ( 2 )裝置辦法
      選用低電感布線是當(dāng)然的,但在并聯(lián)連接中僅用銅板是不行的 ,由于因公共阻擾發(fā)生的 電壓使柵、源間電壓不能平衡,為了防止這點(diǎn),并聯(lián)連接的各個(gè)器件應(yīng)是徹底持平的布線,應(yīng)如圖3那樣用對(duì)稱的布線 ,但因裝置上的約束,不行能用對(duì)稱布錢時(shí),這時(shí)同軸的(多股絞合線、帶狀線 ) 布線也是很有用的。如圖4那樣,經(jīng)過(guò)薄的絕緣膜把銅板制成的漏和源的布線。
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